Главная  Информация для покупателей  Новости науки  Новое устройство может имитировать биологическую память человека

Новое устройство может имитировать биологическую память человека

07 сентября 2019


Биологическая память человека представляет собой одно из свойств центральной нервной системы. К сожалению, это очень уязвимая система, заболевания которой нередко приводят к ухудшению или нарушению памяти, и не только. Именно поэтому учёные озаботились созданием устройств, помогающих поддерживать память в приемлемом состоянии. Так, недавно было изобретено новое устройство, которое способно имитировать биологическую память человека.

info20-05-19-imgs_SMM_Feb_2019_0010_24

Подобные устройства существовали и раньше, вот только механизм их работы был не столь совершенен. В этот раз мир увидел электронное творение на основе оксида гафния, которое способно имитировать биологическую память, а именно: запоминать какую-либо свежую или важную информацию, забывать старую и невостребованную. По своей структуре устройство работает так же, как биологический синапс, то есть особое место нашего мозга, в котором происходит контакт двух нейронов.

Механизм оборудования содержит микроэлектронный компонент, накапливающий различную информацию. Известно, что синапс является местом передачи нервного импульса, который могут имитировать электрические импульсы, проходящей через мемристор оборудования. Данный механизм гораздо более надежен и совершенней своих предшественников, к тому же он обладает большим запасом прочности: минимальная работоспособность данной системы — примерно 100 млрд. циклов. Максимальные показатели остались неизвестными, поскольку ресурс ячейки памяти так и не был исчерпан.

Материал, из которого состоит данное устройство, представляет собой сегнетоэлектрик, который имеет возможность сохранять и при случае менять электрическую поляризацию, если на него воздействовать электрическим полем. Таким образом, можно создавать и контролировать сопротивление и дальнейшее кодирование информации. Основной проблемой при производстве подобного механизма встал подбор толщины сегнетоэлектрического слоя: материал оксид гафния может легко потерять свои свойства при неправильно подобранном размере слоя, поскольку электроны не всегда могут создавать туннельный ток, что образуется в результате туннельного перехода двух электродов. Как раз между ними располагается тонкая пленка оксида гафния.

Используя различное лабораторное оборудование, в частности, испытательные машины, учёные смогли подобрать идеальную толщину электрического слоя — 4 нм. Небольшое отклонение в сторону уменьшения размера нарушает процесс создания туннельного тока, а отклонение в сторону увеличения размера делает оборудование менее эффективным и излишне громоздким.

Другая информация
15 апреля 2021
Техника ультразвуковой визуализации позволяет читать мысли

Работа новой системы основывается на технологии функционального ультразвука, которая точно отображает нейронную активность из ее источника глубоко в мозге с разрешением около 100 мкм.

12 апреля 2021
Изучена структура углерода под давлением 2000 гПа

Алмазная фаза углерода, как считают ученые, является самой «упрямой» структурой, которая способна сохранится в гораздо большем диапазоне планетарных условий, чем считалось ранее.

08 апреля 2021
Археи искажают свою ДНК экстремальными способами

Микробы-археи могут мгновенно искажать свою ДНК, чтобы включать и выключать нужные гены. Такой вид молекулярной «гимнастики» ранее никогда не наблюдался у других организмов.

05 апреля 2021
Ученые разработали устройство, которое помогает ускорить регенерацию костей

Новый модифицированный метод введения лекарств с помощью специального имплантируемого устройства исключает необходимость в повторных инъекциях.

01 апреля 2021
Искусственный интеллект поможет диагностировать рак молочной железы

Аналитическая система была обучена с помощью процессов машинного обучения, чтобы предсказывать такие молекулярные характеристики, как экспрессия генов и белков и состояние ДНК.

Вся информация


Сайт использует файлы cookies. Продолжая просматривать сайт Вы соглашаетесь с использованием cookies. Хорошо!